Dispositif d'alimentation Fabricant, haute qualité Dispositif d'alimentation

XM35N25T2 N-Channel Pulsed Power Switch 2500V 3500A High Power Solid State Switch

Product Description XM35N25T2 is a compact, voltage-driven high-power solid-state pulse switch. It offers high blocking voltage, strong bidirectional peak pulse current capability, and simple drive requirements. Ideal for pulse power applications such as capacitor discharge systems and high-power pulse power supplies.

ÉTIQUETTES CHAUDES : XM35N25T2 N-Channel Pulsed Power Switch Solid State Pulsed Switch High Voltage Power Switch 2500V Pulsed Switch 3500A Power Switch Pulsed Power Supply Capacitor Discharge Unit High Power Switch Voltage Driven Switch Semiconductor Power Switch Pulse Power Component

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MOSFET à faible résistance à l'état passant pour l'amélioration et la déplétion de la flamme

Description du produit La série MOSFET couvre les tensions nominales de -100 V à 900 VFabriquée à l'aide de technologies de pointe, de conditions de fabrication optimisées et de structures de dispositifs perfectionnées, cette série est constamment mise à jour et optimisée pour des performances supérieures. Il comporte faible résistance à l'état passant, haute performance, haute efficacité, rapport coût-efficacité, et excellente fiabilitéce qui le rend idéal pour une large gamme d'applications électriques, notamment interrupteurs d'alimentation, rectification synchrone, systèmes de gestion de batterie (BMS), entraînements de moteurs, et commandes de puissance industrielles.

ÉTIQUETTES CHAUDES : MOSFET de torche MOSFET de type n et MOSFET de type p MOSFET de type D et MOSFET de type E MOSFET à enrichissement et MOSFET à déplétion MOSFET de puissance MOSFET à canal N MOSFET à faible charge de grille MOSFET à faible RDS(on) Dispositif de commutation MOSFET MOSFET pour convertisseur CC-CC MOSFET OEM Semiconducteur MOSFET

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Torche MCT (thyristor commandé par MOS) - Dispositif de commutation haute tension

Description du produitLe MCT (XM30N18T2) est un alimenté en tension, compact, et commutateur à impulsions à semi-conducteurs haute puissance Conçu pour les applications exigeantes en matière de puissance pulsée. Il offre tension de blocage élevée, excellente capacité de courant d'impulsion direct et inverse, et commande de conduite facile, garantissant un fonctionnement fiable et efficace. Grâce à sa conception robuste et à ses performances supérieures, le XM30N18T2 est idéal pour une utilisation dans unités de décharge de condensateurs (CDU), alimentations à impulsions haute puissance, et fusibles électroniques.

ÉTIQUETTES CHAUDES : Torche MCT Thyristor MCT Thyristor commandé par MOS Arrêt rapide MCT Dispositif MCT haute tension Interrupteur d'alimentation MCT MCT pour onduleur Semiconducteur de puissance MCT Thyristor OEM MCT Redresseur commandé Commutation de puissance

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Transistor IGBT à courant élevé/commutation rapide/faibles pertes de commutation pour torche

Présentation du produit Les IGBT sont des dispositifs semi-conducteurs de puissance entièrement commandés en tension, combinant les structures d'un transistor bipolaire (BJT) et d'un transistor MOSFET. Ils présentent une impédance d'entrée élevée et une faible chute de tension à l'état passant, offrant ainsi d'excellentes performances de commutation et un rendement élevé. Largement utilisés dans les servovariateurs, les convertisseurs de fréquence, les appareils électroménagers à fréquence variable, les onduleurs photovoltaïques, les équipements de soudage, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et les chargeurs embarqués, les IGBT constituent des solutions de conversion de puissance fiables pour une vaste gamme d'applications. Notre gamme de produits IGBT couvre plusieurs séries avec des tensions nominales allant de 650 V à 1700 V et les notes actuelles de 5 A à 200 ALa série à haut rendement, développée avec Technologie Trench Field Stop, Procédé de fabrication de plaquettes ultra-minces, et contrôle localisé de la durée de vie, permet d'obtenir une densité de puissance plus élevée, une meilleure tolérance thermique, une efficacité de conversion accrue et une durée de vie prolongée.

ÉTIQUETTES CHAUDES : IGBT du condensateur de torche Transistor IGBT 600 V IGBT à courant élevé IGBT à commutation rapide IGBT pour la commande de moteur Interrupteur de puissance IGBT IGBT OEM Dispositif semi-conducteur IGBT IGBT de commutation basse fournisseurs d'IGBT pilotage IGBT FET IGBT

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Condensateur de torche haute tension 650 V à 1200 V, MOSFET SiC pour onduleur industriel de véhicule électrique

En tant que produit de la série SiC MOSFET de troisième génération, il couvre des niveaux de tension de 650 V à 1700 V et est largement utilisé dans les alimentations de serveurs haut de gamme, les onduleurs photovoltaïques, les variateurs de vitesse, les alimentations UPS et les stations de recharge pour véhicules à énergies nouvelles.

ÉTIQUETTES CHAUDES : Torch Electron sic mosfet oxyde de grille du MOSFET SiC MOSFET à tranchée sic MOSFET SiC à microprocesseur onduleur MOSFET SIC MOSFET SIC 1200 V MOSFET SiC à faible RDS(on) MOSFET SiC 1200 V Transistor de puissance SiC Commutateur SiC à haut rendement MOSFET SiC pour onduleur MOSFET SiC

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