Transistor IGBT à courant élevé/commutation rapide/faibles pertes de commutation pour torche

Présentation du produit Les IGBT sont des dispositifs semi-conducteurs de puissance entièrement commandés en tension, combinant les structures d'un transistor bipolaire (BJT) et d'un transistor MOSFET. Ils présentent une impédance d'entrée élevée et une faible chute de tension à l'état passant, offrant ainsi d'excellentes performances de commutation et un rendement élevé. Largement utilisés dans les servovariateurs, les convertisseurs de fréquence, les appareils électroménagers à fréquence variable, les onduleurs photovoltaïques, les équipements de soudage, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et les chargeurs embarqués, les IGBT constituent des solutions de conversion de puissance fiables pour une vaste gamme d'applications.  Notre gamme de produits IGBT couvre plusieurs séries avec des tensions nominales allant de 650 V à 1700 V et les notes actuelles de 5 A à 200 ALa série à haut rendement, développée avec Technologie Trench Field Stop, Procédé de fabrication de plaquettes ultra-minces, et contrôle localisé de la durée de vie, permet d'obtenir une densité de puissance plus élevée, une meilleure tolérance thermique, une efficacité de conversion accrue et une durée de vie prolongée.